Datasheet Microchip TN5335 — Ficha de datos

FabricanteMicrochip
SerieTN5335

Este transistor de umbral bajo, modo de mejora (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado

Hojas de datos

TN5335 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 669 Kb, Revisión: 06-27-2014
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Precios

Estado

TN5335K1-GTN5335N8-G
Estado del ciclo de vidaProducción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas)Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas)

Embalaje

TN5335K1-GTN5335N8-G
N12
PackageSOT-23SOT-89
Pins33

Paramétricos

Parameters / ModelsTN5335K1-GTN5335N8-G
BVdss min, V350350
CISSmax, pF110110
Operating Temperature Range, °C-55 to +150-55 to +150
Rds, on) max1515
Vgs(th) max, V2.02.0

Plan ecológico

TN5335K1-GTN5335N8-G
RoHSObedienteObediente

Linea modelo

Serie: TN5335 (2)