Datasheet Microchip TN5335K1-G — Ficha de datos

FabricanteMicrochip
SerieTN5335
Numero de parteTN5335K1-G

Este transistor de umbral bajo, modo de mejora (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado

Hojas de datos

TN5335 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 669 Kb, Revisión: 06-27-2014
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Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaProducción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas)

Embalaje

PackageSOT-23
Pins3

Paramétricos

BVdss min350 V
CISSmax110 pF
Operating Temperature Range-55 to +150 °C
Rds15 on) max
Vgs(th) max2.0 V

Plan ecológico

RoHSObediente

Linea modelo

Serie: TN5335 (2)

Otros nombres:

TN5335K1G, TN5335K1 G