Datasheet Microchip TN5335K1-G — Ficha de datos
Fabricante | Microchip |
Serie | TN5335 |
Numero de parte | TN5335K1-G |
Este transistor de umbral bajo, modo de mejora (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado
Hojas de datos
TN5335 Datasheet - N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
PDF, 669 Kb, Revisión: 06-27-2014
Extracto del documento
Precios
Estado
Estado del ciclo de vida | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) |
Embalaje
Package | SOT-23 |
Pins | 3 |
Paramétricos
BVdss min | 350 V |
CISSmax | 110 pF |
Operating Temperature Range | -55 to +150 °C |
Rds | 15 on) max |
Vgs(th) max | 2.0 V |
Plan ecológico
RoHS | Obediente |
Linea modelo
Serie: TN5335 (2)
- TN5335K1-G TN5335N8-G
Otros nombres:
TN5335K1G, TN5335K1 G