Datasheet Microchip TN5325 — Ficha de datos
| Fabricante | Microchip |
| Serie | TN5325 |
Este transistor de umbral bajo, modo de mejora (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado
Hojas de datos
TN5325 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Data Sheet
PDF, 865 Kb, Revisión: 04-05-2017
Extracto del documento
Precios
Estado
| TN5325K1-G | TN5325N3-G | TN5325N3-G-P002 | TN5325N8-G | |
|---|---|---|---|---|
| Estado del ciclo de vida | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) |
Embalaje
| TN5325K1-G | TN5325N3-G | TN5325N3-G-P002 | TN5325N8-G | |
|---|---|---|---|---|
| N | 1 | 2 | 3 | 4 |
| Package | SOT-23 | TO-92 | TO-92 | SOT-89 |
| Pins | 3 | 3 | 3 | 3 |
Paramétricos
| Parameters / Models | TN5325K1-G | TN5325N3-G | TN5325N3-G-P002 | TN5325N8-G |
|---|---|---|---|---|
| BVdss min, V | 250 | 250 | 250 | 250 |
| CISSmax, pF | 110 | 110 | 110 | 110 |
| Operating Temperature Range, °C | -55 to +150 | -55 to +150 | -55 to +150 | -55 to +150 |
| Rds, on) max | 7.0 | 7.0 | 7.0 | 7.0 |
| Vgs(th) max, V | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 |
Plan ecológico
| TN5325K1-G | TN5325N3-G | TN5325N3-G-P002 | TN5325N8-G | |
|---|---|---|---|---|
| RoHS | Obediente | Obediente | Obediente | Obediente |
Linea modelo
Serie: TN5325 (4)