Datasheet Microchip LND150N3-G-P002 — Ficha de datos
| Fabricante | Microchip |
| Serie | LND150 |
| Numero de parte | LND150N3-G-P002 |
El LND150 es un transistor de modo de agotamiento de canal N de alto voltaje (normalmente encendido) que utiliza tecnología DMOS lateral
Hojas de datos
Datasheet LND150
PDF, 610 Kb, Idioma: en, Archivo subido: nov 15, 2017, Páginas: 7
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET Features
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET Features
Extracto del documento
Precios
Estado
| Estado del ciclo de vida | Producción (Apropiada para nuevos diseños pero pueden existir alternativas más nuevas) |
Embalaje
| Package | TO-92 |
Paramétricos
| Automotive Recommended | No |
| BVdsx min | 500 V |
| Lead Count | 3 |
| Package Width | - |
| RDS | 1000 Ω |
| Vgs(off) max | -3.0 V |
| Vgs(off) min | -1.0 V |
Linea modelo
Serie: LND150 (7)
- LND150K1-G LND150N3-G LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P013 LND150N3-G-P014 LND150N8-G
Clasificación del fabricante
- High-Voltage Interface > MOSFETs - Interface > Depletion-Mode N-Channel
Otros nombres:
LND150N3GP002, LND150N3 G P002