Datasheet Fairchild BSS123 — Ficha de datos

FabricanteFairchild
SerieBSS123
Numero de parteBSS123

Transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N

Hojas de datos

Datasheet BSS100, BSS123
PDF, 293 Kb, Idioma: en, Archivo subido: jun 15, 2023, Páginas: 10
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Extracto del documento

Precios

Descripción detallada

Estos transistores de efecto de campo de potencia de modo de mejora de nivel lógico de canal N se producen utilizando la tecnología DMOS de alta densidad de celda patentada de Fairchild.

Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado activo y proporcionar un rendimiento de conmutación superior.

Este producto es especialmente adecuado para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como controles de servomotores pequeños, controladores de compuerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.

Otras opciones

BSS100

Clasificación del fabricante

  • Discrete & Power Modules > MOSFETs