Datasheet Texas Instruments PTH12010Y — Ficha de datos
Fabricante | Texas Instruments |
Serie | PTH12010Y |
Módulo de alimentación con terminación de bus de entrada de 15 A y 12 V para memoria DDR / QDR
Hojas de datos
15-A Non-Isolated DDR/SDR Bus Termination Modules datasheet
PDF, 772 Kb, Revisión: A, Archivo publicado: abr 29, 2005
Extracto del documento
Precios
Estado
PTH12010YAH | PTH12010YAST | PTH12010YAZ | |
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Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) | Activo (Recomendado para nuevos diseños) | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
Disponibilidad de muestra del fabricante | Sí | No | Sí |
Embalaje
PTH12010YAH | PTH12010YAST | PTH12010YAZ | |
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N | 1 | 2 | 3 |
Pin | 10 | 10 | 10 |
Package Type | EUH | EUJ | EUJ |
Industry STD Term | Through-Hole Module | Surface Mount Module | Surface Mount Module |
JEDEC Code | R-PDSS-T | R-PDSS-B | R-PDSS-B |
Package QTY | 25 | 250 | 25 |
Carrier | TIW TRAY | SMALL T&R | TIW TRAY |
Width (mm) | 15.75 | 15.75 | 15.75 |
Length (mm) | 34.8 | 34.8 | 34.8 |
Thickness (mm) | 8.75 | 8.75 | 8.75 |
Pitch (mm) | 3.175 | 3.175 | 3.175 |
Max Height (mm) | 9 | 9 | 9 |
Mechanical Data | Descargar | Descargar | Descargar |
Paramétricos
Parameters / Models | PTH12010YAH | PTH12010YAST | PTH12010YAZ |
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Control Mode | Voltage Mode | Voltage Mode | Voltage Mode |
DDR Memory Type | DDR,DDR2,DDR3 | DDR,DDR2,DDR3 | DDR,DDR2,DDR3 |
Iout VTT(Max), A | 6 | 6 | 6 |
Iq(Typ), mA | 10 | 10 | 10 |
Operating Temperature Range, C | -40 to 85 | -40 to 85 | -40 to 85 |
Output | VTT | VTT | VTT |
Package Group | Through-Hole Module | Surface Mount Module | Surface Mount Module |
Package Size: mm2:W x L, PKG | 10Through-Hole Module: 600 mm2: 16.76 x 35.81(Through-Hole Module) | 10Surface Mount Module: 601 mm2: 16.76 x 35.85(Surface Mount Module) | 10Surface Mount Module: 601 mm2: 16.76 x 35.85(Surface Mount Module) |
Rating | Catalog | Catalog | Catalog |
Regulator Type | Step-Down Module | Step-Down Module | Step-Down Module |
Special Features | Shutdown Pin for S3 | Shutdown Pin for S3 | Shutdown Pin for S3 |
Vin Bias(Max), V | 13.2 | 13.2 | 13.2 |
Vin Bias(Min), V | 10.8 | 10.8 | 10.8 |
Vin(Max), V | 13.2 | 13.2 | 13.2 |
Vin(Min), V | 10.8 | 10.8 | 10.8 |
Vout VTT(Min), V | 0.55 | 0.55 | 0.55 |
Plan ecológico
PTH12010YAH | PTH12010YAST | PTH12010YAZ | |
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RoHS | Desobediente | Desobediente | Desobediente |
Notas de aplicación
- New power modules improve surface-mount manufacturabilityPDF, 1.1 Mb, Archivo publicado: jul 14, 2005
- High-Temperatures Soldering Requirements for Plug-in Power, Surface-Mount Pdts (Rev. A)PDF, 112 Kb, Revisión: A, Archivo publicado: agosto 13, 2009
- Input and Output Capacitor SelectionPDF, 219 Kb, Archivo publicado: sept 19, 2005
Linea modelo
Serie: PTH12010Y (3)
Clasificación del fabricante
- Semiconductors> Power Management> DDR Memory Power Solutions