Datasheet Texas Instruments LP2998QMRE/NOPB — Ficha de datos
Fabricante | Texas Instruments |
Serie | LP2998-Q1 |
Numero de parte | LP2998QMRE/NOPB |
Regulador de terminación DDR para aplicaciones automotrices 8-SO PowerPAD -40 a 125
Hojas de datos
LP2998/LP2998-Q1 DDR Termination Regulator datasheet
PDF, 2.6 Mb, Revisión: K, Archivo publicado: agosto 20, 2014
Extracto del documento
Precios
Estado
Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
Disponibilidad de muestra del fabricante | Sí |
Embalaje
Pin | 8 | 8 |
Package Type | DDA | DDA |
Industry STD Term | HSOIC | HSOIC |
JEDEC Code | R-PDSO-G | R-PDSO-G |
Package QTY | 250 | 250 |
Carrier | SMALL T&R | SMALL T&R |
Device Marking | Q1MR | LP2998 |
Width (mm) | 3.9 | 3.9 |
Length (mm) | 4.89 | 4.89 |
Thickness (mm) | 1.48 | 1.48 |
Pitch (mm) | 1.27 | 1.27 |
Max Height (mm) | 1.7 | 1.7 |
Mechanical Data | Descargar | Descargar |
Paramétricos
Control Mode | N/A |
DDR Memory Type | DDR,DDR2,DDR3,DDR3L |
Iout VTT(Max) | 1.5 A |
Iq(Typ) | 0.32 mA |
Operating Temperature Range | -40 to 125 C |
Output | VREF,VTT |
Package Group | SO PowerPAD |
Package Size: mm2:W x L | 8SO PowerPAD: 29 mm2: 6 x 4.9(SO PowerPAD) PKG |
Rating | Automotive |
Regulator Type | Linear Regulator |
Special Features | Shutdown Pin for S3 |
Vin Bias(Max) | 5.5 V |
Vin Bias(Min) | 2.2 V |
Vin(Max) | 5.5 V |
Vin(Min) | 1.35 V |
Vout VTT(Min) | 0.677 V |
Plan ecológico
RoHS | Obediente |
Kits de diseño y Módulos de evaluación
- Evaluation Modules & Boards: LP2998EVAL
Evaluation Board for the LP2998
Estado del ciclo de vida: Activo (Recomendado para nuevos diseños)
Linea modelo
Serie: LP2998-Q1 (3)
- LP2998QMR/NOPB LP2998QMRE/NOPB LP2998QMRX/NOPB
Clasificación del fabricante
- Semiconductors > Power Management > DDR Memory Power Solutions