Datasheet Texas Instruments LM5113TME/NOPB — Ficha de datos

FabricanteTexas Instruments
SerieLM5113
Numero de parteLM5113TME/NOPB
Datasheet Texas Instruments LM5113TME/NOPB

Controlador de puerta de medio puente de 100 V 1.2-A / 5-A para GaN FET de modo mejorado 12-DSBGA

Hojas de datos

LM5113 100 V 1.2-A / 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs datasheet
PDF, 2.4 Mb, Revisión: G, Archivo publicado: oct 14, 2015
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)
Disponibilidad de muestra del fabricante

Embalaje

Pin12
Package TypeYFX
Industry STD TermDSBGA
JEDEC CodeR-XBGA-N
Package QTY250
CarrierSMALL T&R
Device Marking5113
Thickness (mm).42
Pitch (mm).4
Max Height (mm).675
Mechanical DataDescargar

Paramétricos

Bus Voltage90 V
Driver ConfigurationDual,Independent
Fall Time3.5 ns
Input ThresholdTTL
Input VCC(Max)5.5 V
Input VCC(Min)4.5 V
Number of Channels2
Operating Temperature Range-40 to 125 C
Package GroupDSBGA
Package Size: mm2:W x LSee datasheet (DSBGA) PKG
Peak Output Current5 A
Power SwitchMOSFET,GaNFET
Prop Delay30 ns
RatingCatalog
Rise Time7 ns

Plan ecológico

RoHSObediente

Kits de diseño y Módulos de evaluación

  • Evaluation Modules & Boards: LM5113LLPEVB
    LM5113 100 V 1.2-A / 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs Evaluation Module
    Estado del ciclo de vida: Activo (Recomendado para nuevos diseños)
  • Evaluation Modules & Boards: UCC27611OLEVM-203
    UCC27611 Gate Driver Open Loop Evaluation Module
    Estado del ciclo de vida: Activo (Recomendado para nuevos diseños)

Notas de aplicación

  • Design Considerations for LM5113 Advanced GaN FET Driver at High Frequency Oper
    PDF, 572 Kb, Archivo publicado: sept 15, 2014
    Design Considerations for LM5113 Advanced eGaN FET Driver at High Frequency Operation

Linea modelo

Clasificación del fabricante

  • Semiconductors > Power Management > Gallium Nitride (GaN)В  Solutions > GaN FET Drivers