Datasheet Texas Instruments ISO5852S-Q1 — Ficha de datos

FabricanteTexas Instruments
SerieISO5852S-Q1
Datasheet Texas Instruments ISO5852S-Q1

High-CMTI 2.5-A / 5-A Controlador de puerta MOSFET aislado IGBT con salidas divididas y características de protección

Hojas de datos

ISO5852S-Q1 High-CMTI 2.5-A and 5-A Reinforced Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Active Protection Features datasheet
PDF, 1.7 Mb, Revisión: A, Archivo publicado: dic 22, 2016
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Precios

Estado

ISO5852SQDWQ1ISO5852SQDWRQ1
Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)Activo (Recomendado para nuevos diseños)
Disponibilidad de muestra del fabricanteNo

Embalaje

ISO5852SQDWQ1ISO5852SQDWRQ1
N12
Pin1616
Package TypeDWDW
Industry STD TermSOICSOIC
JEDEC CodeR-PDSO-GR-PDSO-G
Package QTY402000
CarrierTUBELARGE T&R
Device MarkingISO5852SQISO5852SQ
Width (mm)7.57.5
Length (mm)10.310.3
Thickness (mm)2.352.35
Pitch (mm)1.271.27
Max Height (mm)2.652.65
Mechanical DataDescargarDescargar

Paramétricos

Parameters / ModelsISO5852SQDWQ1
ISO5852SQDWQ1
ISO5852SQDWRQ1
ISO5852SQDWRQ1
DIN V VDE V 0884-10 Working Voltage, Vpk21212121
DIN V VDE V 0884-10 Transient Overvoltage Rating, Vpk80008000
Enable/Disable FunctionN/AN/A
Input VCC(Max), V5.55.5
Input VCC(Min), V2.252.25
Isolation Rating, Vrms57005700
Number of Channels11
Operating Temperature Range, C-40 to 125-40 to 125
Output VCC/VDD(Max), V3030
Output VCC/VDD(Min), V1515
Package GroupSOICSOIC
Package Size: mm2:W x L, PKG16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC)16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC)
Peak Output Current, A55
Power SwitchIGBTIGBT
Prop Delay, ns110110
Prop Delay(Max), ns110110

Plan ecológico

ISO5852SQDWQ1ISO5852SQDWRQ1
RoHSObedienteObediente

Linea modelo

Serie: ISO5852S-Q1 (2)

Clasificación del fabricante

  • Semiconductors> Isolation> Isolated Gate Driver