Datasheet Texas Instruments CSD23382F4 — Ficha de datos
Fabricante | Texas Instruments |
Serie | CSD23382F4 |
Canal M NexFET Power MOSFET
Hojas de datos
CSD23382F4 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET datasheet
PDF, 755 Kb, Revisión: C, Archivo publicado: oct 20, 2014
Extracto del documento
Precios
Estado
CSD23382F4 | CSD23382F4T | |
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Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
Disponibilidad de muestra del fabricante | No | Sí |
Embalaje
CSD23382F4 | CSD23382F4T | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 3 | 3 |
Package Type | YJC | YJC |
Package QTY | 3000 | 250 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
Device Marking | EM | EM |
Width (mm) | .635 | .635 |
Length (mm) | 1.035 | 1.035 |
Mechanical Data | Descargar | Descargar |
Paramétricos
Parameters / Models | CSD23382F4 | CSD23382F4T |
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Configuration | Single | Single |
Id Max Cont, A | -3.5 | -3.5 |
Id Peak(Max), A | -22 | -22 |
Package, mm | LGA 0.6x1.0 | LGA 0.6x1.0 |
QG Typ, nC | 1.04 | 1.04 |
QGD Typ, nC | 0.15 | 0.15 |
QGS Typ, nC | 0.5 | 0.5 |
Rds(on) Max at VGS=1.8V, mOhms | 199 | 199 |
Rds(on) Max at VGS=2.5V, mOhms | 105 | 105 |
Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 76 | 76 |
VDS, V | -12 | -12 |
VGS, V | -8 | -8 |
VGSTH Typ, V | -0.8 | -0.8 |
Plan ecológico
CSD23382F4 | CSD23382F4T | |
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RoHS | Obediente | Obediente |
Linea modelo
Serie: CSD23382F4 (2)
Clasificación del fabricante
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> P-Channel MOSFET Transistor