Datasheet Texas Instruments CSD18563Q5A — Ficha de datos
Fabricante | Texas Instruments |
Serie | CSD18563Q5A |
MOSFET de potencia NexFET de canal N de 60 V
Hojas de datos
CSD18563Q5A 60 V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 817 Kb, Revisión: C, Archivo publicado: enero 19, 2016
Extracto del documento
Precios
Estado
CSD18563Q5A | CSD18563Q5A-P | CSD18563Q5AT | |
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Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) | Vista previa (El dispositivo ha sido anunciado pero no está en producción. Las muestras pueden o no estar disponibles) | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
Disponibilidad de muestra del fabricante | Sí | No | No |
Embalaje
CSD18563Q5A | CSD18563Q5A-P | CSD18563Q5AT | |
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N | 1 | 2 | 3 |
Pin | 8 | 8 | 8 |
Package Type | DQJ | DQJ | DQJ |
Package QTY | 2500 | 2500 | 250 |
Carrier | LARGE T&R | LARGE T&R | SMALL T&R |
Device Marking | CSD18563 | CSD18563 | CSD18563 |
Width (mm) | 6 | 6 | 6 |
Length (mm) | 4.9 | 4.9 | 4.9 |
Thickness (mm) | 1 | 1 | 1 |
Mechanical Data | Descargar | Descargar | Descargar |
Paramétricos
Parameters / Models | CSD18563Q5A | CSD18563Q5A-P | CSD18563Q5AT |
---|---|---|---|
Configuration | Single | Single | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 93 | 93 | 93 |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 251 | 251 | 251 |
Package, mm | SON5x6 | SON5x6 | SON5x6 |
QG Typ, nC | 15 | 15 | 15 |
QGD Typ, nC | 2.9 | 2.9 | 2.9 |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 8.6 | 8.6 | 8.6 |
Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 6.8 | 6.8 | 6.8 |
Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 10.8 | 10.8 | 10.8 |
VDS, V | 60 | 60 | 60 |
VGS, V | 20 | 20 | 20 |
VGSTH Typ, V | 2 | 2 | 2 |
Plan ecológico
CSD18563Q5A | CSD18563Q5A-P | CSD18563Q5AT | |
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RoHS | Obediente | Obediente | Obediente |
Pb gratis | Sí | Sí | Sí |
Notas de aplicación
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Mb, Archivo publicado: nov 16, 2011
Linea modelo
Serie: CSD18563Q5A (3)
Clasificación del fabricante
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor