Datasheet Texas Instruments CSD16401Q5 — Ficha de datos
| Fabricante | Texas Instruments |
| Serie | CSD16401Q5 |
MOSFET de potencia NexFET® ™ de canal N
Hojas de datos
CSD16401Q5 25-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 355 Kb, Revisión: B, Archivo publicado: sept 28, 2015
Extracto del documento
Precios
Estado
| CSD16401Q5 | CSD16401Q5T | |
|---|---|---|
| Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
| Disponibilidad de muestra del fabricante | Sí | No |
Embalaje
| CSD16401Q5 | CSD16401Q5T | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Pin | 8 | 8 |
| Package Type | DQH | DQH |
| Industry STD Term | VSON-CLIP | VSON-CLIP |
| JEDEC Code | R-PSSO-N | R-PSSO-N |
| Package QTY | 2500 | 250 |
| Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
| Device Marking | CSD16401 | CSD16401 |
| Width (mm) | 6 | 6 |
| Length (mm) | 5 | 5 |
| Thickness (mm) | 1 | 1 |
| Pitch (mm) | 1.27 | 1.27 |
| Max Height (mm) | 1.05 | 1.05 |
| Mechanical Data | Descargar | Descargar |
Paramétricos
| Parameters / Models | CSD16401Q5 | CSD16401Q5T |
|---|---|---|
| Configuration | Single | Single |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 240 | 240 |
| Package, mm | SON5x6 | SON5x6 |
| QG Typ, nC | 21 | 21 |
| QGD Typ, nC | 5.2 | 5.2 |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V, mOhm | 1.8 | 1.8 |
| Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 1.6 | 1.6 |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V, mOhms | 2.3 | 2.3 |
| VDS, V | 25 | 25 |
| VGS, V | 16 | 16 |
| VGSTH Typ, V | 1.5 | 1.5 |
Plan ecológico
| CSD16401Q5 | CSD16401Q5T | |
|---|---|---|
| RoHS | Obediente | Obediente |
| Pb gratis | Sí | Sí |
Notas de aplicación
- Intel VR11.1 Server Reference DesignPDF, 38 Kb, Archivo publicado: jul 21, 2010
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Mb, Archivo publicado: nov 16, 2011
Linea modelo
Serie: CSD16401Q5 (2)
Clasificación del fabricante
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor