Datasheet Texas Instruments CSD19532KTT — Ficha de datos
Fabricante | Texas Instruments |
Serie | CSD19532KTT |
Numero de parte | CSD19532KTT |
100V, N-ch NexFET Power MOSFET 3-DDPAK / TO-263-55 a 175
Hojas de datos
CSD19532KTT 100 V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 367 Kb, Archivo publicado: oct 27, 2015
Extracto del documento
Precios
Estado
Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
Disponibilidad de muestra del fabricante | Sí |
Embalaje
Pin | 3 |
Package Type | KTT |
Industry STD Term | TO-263 |
JEDEC Code | R-PSFM-G |
Package QTY | 500 |
Carrier | LARGE T&R |
Device Marking | CSD19532KTT |
Width (mm) | 8.41 |
Length (mm) | 10.18 |
Thickness (mm) | 4.44 |
Pitch (mm) | 2.54 |
Max Height (mm) | 4.83 |
Mechanical Data | Descargar |
Paramétricos
Configuration | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC | 136 A |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 400 A |
Package | D2PAK mm |
QG Typ | 44 nC |
QGD Typ | 17 nC |
Rds(on) Max at VGS=10V | 5.6 mOhms |
VDS | 100 V |
VGS | 20 V |
VGSTH Typ | 2.6 V |
Plan ecológico
RoHS | Obediente |
Pb gratis | Sí |
Linea modelo
Serie: CSD19532KTT (2)
- CSD19532KTT CSD19532KTTT
Clasificación del fabricante
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor