Datasheet Texas Instruments CSD17313Q2T — Ficha de datos
Fabricante | Texas Instruments |
Serie | CSD17313Q2 |
Numero de parte | CSD17313Q2T |
MOSFET de potencia de canal N de 30 V NexFET ™ 6-WSON -55 a 150
Hojas de datos
CSD17313Q2 30-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 406 Kb, Revisión: E, Archivo publicado: sept 30, 2015
Extracto del documento
Precios
Estado
Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
Disponibilidad de muestra del fabricante | No |
Embalaje
Pin | 6 |
Package Type | DQK |
Package QTY | 250 |
Carrier | SMALL T&R |
Device Marking | 1733 |
Width (mm) | 2 |
Length (mm) | 2 |
Thickness (mm) | .75 |
Mechanical Data | Descargar |
Paramétricos
Configuration | Single |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 20 A |
Package | SON2x2 mm |
QG Typ | 2.1 nC |
QGD Typ | 0.4 nC |
RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 26 mOhm |
Rds(on) Max at VGS=4.5V | 32 mOhms |
VDS | 30 V |
VGS | 10 V |
VGSTH Typ | 1.3 V |
Plan ecológico
RoHS | Obediente |
Kits de diseño y Módulos de evaluación
- Evaluation Modules & Boards: TMDSCSK8127
TMS320DM8127 Camera Starter Kit (CSK)
Estado del ciclo de vida: Activo (Recomendado para nuevos diseños) - Evaluation Modules & Boards: TMDSCSK388
DM38x Camera Starter Kit (CSK)
Estado del ciclo de vida: Activo (Recomendado para nuevos diseños)
Notas de aplicación
- Power Solution for the IntelВ® Atomв„ў E6X5CPDF, 27 Kb, Archivo publicado: jun 29, 2011
Power Solution for the IntelВ® Atomв„ў E6x5x - Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Mb, Archivo publicado: nov 16, 2011
Linea modelo
Serie: CSD17313Q2 (2)
- CSD17313Q2 CSD17313Q2T
Clasificación del fabricante
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor