Datasheet Texas Instruments TPS1120DR — Ficha de datos
| Fabricante | Texas Instruments |
| Serie | TPS1120 |
| Numero de parte | TPS1120DR |
MOSFET 8-SOIC de modo mejorado de doble canal P
Hojas de datos
Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFETs datasheet
PDF, 373 Kb, Revisión: A, Archivo publicado: agosto 1, 1995
Extracto del documento
Precios
Estado
| Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
| Disponibilidad de muestra del fabricante | No |
Embalaje
| Pin | 8 |
| Package Type | D |
| Industry STD Term | SOIC |
| JEDEC Code | R-PDSO-G |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Device Marking | 1120 |
| Width (mm) | 3.91 |
| Length (mm) | 4.9 |
| Thickness (mm) | 1.58 |
| Pitch (mm) | 1.27 |
| Max Height (mm) | 1.75 |
| Mechanical Data | Descargar |
Plan ecológico
| RoHS | Obediente |
Linea modelo
Serie: TPS1120 (3)
- TPS1120D TPS1120DG4 TPS1120DR
Clasificación del fabricante
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > P-Channel MOSFET Transistor