Datasheet Texas Instruments CSD19538Q2T — Ficha de datos
Fabricante | Texas Instruments |
Serie | CSD19538Q2 |
Numero de parte | CSD19538Q2T |
100V, 49mOhm SON2x2 NexFET Power MOSFET 6-WSON -55 a 150
Hojas de datos
CSD19538Q2 100-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 394 Kb, Revisión: A, Archivo publicado: enero 20, 2017
Extracto del documento
Precios
Estado
Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
Disponibilidad de muestra del fabricante | No |
Embalaje
Pin | 6 |
Package Type | DQK |
Package QTY | 250 |
Carrier | SMALL T&R |
Device Marking | 1958 |
Width (mm) | 2 |
Length (mm) | 2 |
Thickness (mm) | .75 |
Mechanical Data | Descargar |
Paramétricos
Configuration | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC | 13.1 A |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 34.4 A |
Package | SON2x2 mm |
QG Typ | 4.3 nC |
QGD Typ | 0.8 nC |
Rds(on) Max at VGS=10V | 59 mOhms |
VDS | 100 V |
VGS | 20 V |
VGSTH Typ | 3.2 V |
Plan ecológico
RoHS | Obediente |
Linea modelo
Serie: CSD19538Q2 (2)
- CSD19538Q2 CSD19538Q2T
Clasificación del fabricante
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor