Datasheet Texas Instruments CSD19538Q2T — Ficha de datos

FabricanteTexas Instruments
SerieCSD19538Q2
Numero de parteCSD19538Q2T
Datasheet Texas Instruments CSD19538Q2T

100V, 49mOhm SON2x2 NexFET Power MOSFET 6-WSON -55 a 150

Hojas de datos

CSD19538Q2 100-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 394 Kb, Revisión: A, Archivo publicado: enero 20, 2017
Extracto del documento

Precios

Estado

Estado del ciclo de vidaActivo (Recomendado para nuevos diseños)
Disponibilidad de muestra del fabricanteNo

Embalaje

Pin6
Package TypeDQK
Package QTY250
CarrierSMALL T&R
Device Marking1958
Width (mm)2
Length (mm)2
Thickness (mm).75
Mechanical DataDescargar

Paramétricos

ConfigurationSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC13.1 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)34.4 A
PackageSON2x2 mm
QG Typ4.3 nC
QGD Typ0.8 nC
Rds(on) Max at VGS=10V59 mOhms
VDS100 V
VGS20 V
VGSTH Typ3.2 V

Plan ecológico

RoHSObediente

Linea modelo

Serie: CSD19538Q2 (2)

Clasificación del fabricante

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor