Datasheet Texas Instruments CSD19531Q5AT — Ficha de datos
| Fabricante | Texas Instruments |
| Serie | CSD19531Q5A |
| Numero de parte | CSD19531Q5AT |
100V, 5.3mOhm, SON5x6 NexFET ™ Power MOSFET 8-VSONP -55 a 150
Hojas de datos
CSD19531Q5A 100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet
PDF, 737 Kb, Revisión: B, Archivo publicado: mayo 19, 2014
Extracto del documento
Precios
Estado
| Estado del ciclo de vida | Activo (Recomendado para nuevos diseños) |
| Disponibilidad de muestra del fabricante | No |
Embalaje
| Pin | 8 |
| Package Type | DQJ |
| Package QTY | 250 |
| Carrier | SMALL T&R |
| Device Marking | CSD19531 |
| Width (mm) | 6 |
| Length (mm) | 4.9 |
| Thickness (mm) | 1 |
| Mechanical Data | Descargar |
Paramétricos
| Configuration | Single |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC | 110 A |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 337 A |
| Package | SON5x6 mm |
| QG Typ | 37 nC |
| QGD Typ | 6.6 nC |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 6.4 mOhms |
| VDS | 100 V |
| VGS | 20 V |
| VGSTH Typ | 2.7 V |
Plan ecológico
| RoHS | Obediente |
| Pb gratis | Sí |
Kits de diseño y Módulos de evaluación
- Evaluation Modules & Boards: UCC24636EVM
UCC24636 Synchronous Rectifier Daughter Board/Evaluation Module
Estado del ciclo de vida: Activo (Recomendado para nuevos diseños)
Notas de aplicación
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Mb, Archivo publicado: nov 16, 2011
Linea modelo
Serie: CSD19531Q5A (2)
- CSD19531Q5A CSD19531Q5AT
Clasificación del fabricante
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor