Datasheet NTE133 - NTE Electronics N CHANNEL JFET, -25 V, TO-106 — Ficha de datos

Descripción detallada

Manufacturer: NTE Electronics

Description: N CHANNEL JFET, -25 V, TO-106

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Docket:
NTE133 N­Channel JFET Silicon Transistor General Purpose AF Amplifier
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Drain­Source Voltage, VDS .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Drain­Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Gate­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ­25V Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2mW/°C Operati

Specifications:

• Breakdown Voltage Vbr: -25 V
• Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -6.5 V
• Number of Pins: 3
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Power Dissipation: 300 mW
• Transistor Type: JFET